На этой неделе, в Журнале Прикладной Физики, от AIP Publishing, исследовательская группа из Иллинойсского университета в Урбане-Шампейне представляет их результаты относительно оптической и электрической бистабильности единственного транзистора, управляемого при комнатной температуре.До этой работы квантовые скважины были включены около коллекционера в основе III-V биполярных транзисторов гетероперехода, приводящих к в большой степени уменьшенной излучающей непосредственной целой жизни перекомбинации устройства.
Текущая пропускная способность модуляции лазера связана с радиационными сроками службы перекомбинации электронного отверстия, сроками службы фотона и плотностью фотона впадины.В методе, запатентованном двумя из авторов статьи, часто называемых Фэном и идеей Холоняка, оптическое поглощение может быть далее увеличено впадиной последовательная интенсивность фотона лазера транзистора. Используя уникальное свойство внутривпадины помогшая с фотоном модуляция туннелирования, исследователи смогли установить основание прямой лазерной модуляции напряжения и переключающийся на высоких скоростях гигагерца.
Исследователи сочли лазер транзистора электрическими и оптическими бистабильностями, чтобы быть управляемыми током основы и напряжением коллекционера. Текущее переключение, как находили, происходило из-за операционного изменения основы транзистора между стимулируемым и непосредственным процессом перекомбинации электронного отверстия в «основном кванте хорошо».
По словам Милтона Фэна, исследовательской группы, это было первым разом, когда это было сделано.«Мы вставляем транзистор оптической впадины, и оптическая впадина контролирует плотность фотона в системе.
Так, если я использую туннелирование, чтобы поглотить фотон, и затем квант хорошо, чтобы произвести фотон, тогда я в основном могу мелодия напряжения и текущий контроль электрическое и оптическое переключение между последовательным и несвязным государством для света, и между стимулируемой и непосредственной перекомбинацией для тока», сказал Фэн.По сравнению с предшествующими расследованиями, которые содержали оптический гистерезис во впадинах, содержащих нелинейные поглощающие и дисперсионные СМИ выгоды, принципы действия как физические процессы и операционные механизмы в лазере транзистора, электрооптические бистабильности значительно отличаются. В этом случае, различные пути переключения между оптической и электроэнергией указывает результаты в различных порогах входного напряжения коллекционера, приводящего к этой значительной разнице в методе и результатах.«Из-за переключающихся разностей ходов между последовательными и несвязными удельными весами фотона впадины, реагирующими с модуляцией напряжения коллекционера через внутривпадину Фэна-Холоняка, помогшее с фотоном туннелирование, приводящее к разности потенциалов коллекционера в операциях ВЫКЛЮЧАТЕЛЯ и выключателя ВНИЗ, бистабильность лазера транзистора, осуществимо, управляемо и применимо», сказал Фэн.
Это – вера исследователей, операции электрооптического гистерезиса и бистабильности в компактной форме лазера транзистора могут быть использованы для высокой скорости оптический логический вентиль и приложения шлепающих звуков.«Я надеюсь, что новая область для исследования будет расширена от электроники – от тел в электронике, которая транспортирует в твердотельном – в электронно-оптическую область в интегральную схему, которая будет большим прорывом для будущего поколения быстродействующей передачи данных», сказал Фэн.