Новое многоразрядное ‘вращение’ для магнитного хранения запоминающего устройства с произвольным доступом
В журнале Applied Physics Letters, от AIP Publishing, исследовательская группа Франции-США сообщает, что интригующая новая многоразрядная парадигма хранения MRAM с потенциалом конкурирует с флэш-памятью.Повышение плотности устройств памяти очень желательно и может быть достигнуто через множество методов. …
