В журнале Applied Physics Letters, от AIP Publishing, исследовательская группа Франции-США сообщает, что интригующая новая многоразрядная парадигма хранения MRAM с потенциалом конкурирует с флэш-памятью.Повышение плотности устройств памяти очень желательно и может быть достигнуто через множество методов. Один путь, уменьшая размеры копирования, который приводит к увеличенному числу клеток памяти за поверхность единицы. Другой подход включает увеличение вместимости каждой отдельной клетки – иначе «многоразрядное хранение».
«Многоразрядное хранение, как правило, достигается в технологии MRAM, измеряя многократные уровни напряжения, соответствующие различным магнитным конфигурациям», объяснил Квентин Стэйнер, ведущий автор статьи и аспирант в SPINTEC/CEA, научно-исследовательском институте для электроники и информационных технологий, расположенных в Гренобле, Франция, и также присоединился к Технологии Шафрана, Франция – и американская фирма, которая разрабатывает магнитно увеличенные полупроводниковые технологии.В основе работы команды собственная технология Magnetic Logic Unit (MLU) Технологии Шафрана, которая позволяет исследователям удаленно управлять датчиком, чтобы исследовать эти конфигурации. «Определяя главные особенности электрических ответов мы получаем, как правило известный как ‘чрезвычайные пункты’, мы можем вывести хранившую информацию», сказал Стэйнер.Основным моментом их работы была «однозначная демонстрация выполнимости нашего метода, с целых 3 битами за элементарные ячейки, и недавно до 4 битов, полученных на устройствах 110 миллимикронов шириной», отметил он.Также стоит отметить, что команда заявляет, что их парадигма хранения должна быть в состоянии обеспечить увеличенную надежность и терпимость, чтобы обработать изменчивость, которая облегчит производить устройства на основе этой технологии для промышленного применения.
«Наша работа позволит развитие продуктов для широкого спектра заявлений включая, но не ограниченная, безопасное хранение данных для подключенных устройств – таких как смарт-карта, адресуемая содержанием память для интернет-маршрутизаторов, а также высокоэффективная, высокоплотная, и высокотемпературная память», сказал Стэйнер.Следующий шаг команды?
Развитие полностью функционального многоразрядного продукта памяти MLU, чтобы далее продемонстрировать промышленную жизнеспособность их парадигмы хранения. «Новые парадигмы памяти, полученные из этой работы, также разрабатываются – с потенциальными многоразрядными мощностями клетки до 8 битов за сингл», добавил он.