Рекорды скорости устанавливают для основанных на цинке транзисторов с процессом плазмы аргона: Исследователи в Университете Корё создали транзистор тонкой пленки приблизительно с 10 раз электронными скоростями подвижности ее предшественников, обещая быстрее обрабатывающий для следующего поколения жидкокристаллических экранов
Исследователи в Университете Корё и Samsung, Продвинутый Технологический институт теперь развивал новый тип транзистора тонкой пленки, это значительно быстрее, чем его предшественники – важный шаг к ускорению показа изображения на устройствах как экраны смартфона и телевизоры. Ученые сделали транзистор из цинка oxynitride или ZnON, который они тогда плазма отнеслась с газом аргона. …