материал

Ультратонкий сегнетоэлектрический материал для электроники следующего поколения

Проблемно / /

Теперь, Хироши Фунэкубо и коллеги в Токийском технологическом институте, в сотрудничестве с исследователями по Японии, провели эксперименты, чтобы определить сегнетоэлектрические свойства неорганического комплекса, названного гафниевой окисью (HfO2) впервые. Кардинально, кристаллическая структура HfO2 позволяет ему быть депонированным в ультратонких пленках, означая, что это может оказаться неоценимым для технологий следующего поколения. …

Ультратонкий сегнетоэлектрический материал для электроники следующего поколенияПодробнее »

Координаты больше чем 23 000 атомов в технологически важном материале нанесены на карту

Проблемно / /

Результаты демонстрируют, что положения десятков тысяч атомов могут быть точно определены и затем поданы в вычисления квантовой механики, чтобы коррелировать недостатки и дефекты со свойствами материала на уровне единственного атома. Это исследование будет издано 2 февраля. в журнале Nature.Джиэнвеи (Джон) Мяо, преподаватель Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе физики и астрономии и члена Института NanoSystems Калифорнии Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе, возглавил международную команду в отображении деталей атомного уровня биметаллической наночастицы, больше чем триллион из которых мог соответствовать в зерне песка. …

Координаты больше чем 23 000 атомов в технологически важном материале нанесены на картуПодробнее »

Новый материал для цифровых воспоминаний о будущем: Сегнетоэлектрик самособрал молекулярные материалы

Эпично / /

Явление может использоваться для маленьких и гибких цифровых воспоминаний о будущем, и для абсолютно новых типов солнечных батарей.В статье, опубликованной в научном журнале Science Advances, исследовательская группа показывает явление в действии в трех специально построенных молекулах и предлагает модель для того, как это работает. …

Новый материал для цифровых воспоминаний о будущем: Сегнетоэлектрик самособрал молекулярные материалыПодробнее »

Напряжение памяти: спроектированные материалы напряжения Прототипа – будущее хранения данных

Эпично / /

Авторы показали в работе, опубликованной в Нано фьючерсах, который, быстро переключаясь в эти наноструктурированные материалы происходит из-за лавины атомное переключение в интерфейсе. Первый атом, который выключатели требуют большой суммы энергии, но последующие атомы требуют меньшего количества энергии. …

Напряжение памяти: спроектированные материалы напряжения Прототипа – будущее хранения данныхПодробнее »

2-е материалы могут провести электричество с почти скоростью света: у Веществ есть потенциал, чтобы коренным образом изменить электронные и вычислительные устройства

Проблемно / /

В трех отдельных исследованиях, появляющихся в этом месяце по своей природе, Научные Достижения и Материалы Природы, исследователи UCI и коллеги от УКА Беркли, Национальной лаборатории Лоуренса Беркли, Принстонского университета, Фуданьского университета и Университета Мэриленда исследовали физику позади 2-х государств новых материалов и решили, что они могли выдвинуть компьютеры к новым высотам скорости и власти. …

2-е материалы могут провести электричество с почти скоростью света: у Веществ есть потенциал, чтобы коренным образом изменить электронные и вычислительные устройстваПодробнее »

Блог Александрии