Ультратонкий сегнетоэлектрический материал для электроники следующего поколения
Теперь, Хироши Фунэкубо и коллеги в Токийском технологическом институте, в сотрудничестве с исследователями по Японии, провели эксперименты, чтобы определить сегнетоэлектрические свойства неорганического комплекса, названного гафниевой окисью (HfO2) впервые. Кардинально, кристаллическая структура HfO2 позволяет ему быть депонированным в ультратонких пленках, означая, что это может оказаться неоценимым для технологий следующего поколения. …
Ультратонкий сегнетоэлектрический материал для электроники следующего поколенияПодробнее »